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東莞市鼎偉新材料有限公司專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)：鎳釩合金靶、高純鉻靶、鈦鋁靶、鉻鋁靶、鎳鉻合金靶、鎢鈦合金靶材等；公司先后研發(fā)的蒸發(fā)材料、濺射靶材系列產(chǎn)品廣泛應用到國內外眾多知名電子、太陽(yáng)能企業(yè)當中，以較高的性?xún)r(jià)比，成功發(fā)替代了國外進(jìn)口產(chǎn)品，頗受用戶(hù)好評。

高純鉻靶的發(fā)展前景

時(shí)間：2021-04-16瀏覽數：769

高純鉻靶的目標晶粒尺寸和分布：通常，目標材料具有多晶結構，并且晶粒尺寸可以在微米到毫米的數量級上。 對于相同組成的靶材，細顆粒靶材的濺射速率比粗顆粒高純鉻靶的濺射速率快，而晶粒尺寸較小的靶材具有更均勻的沉積膜厚度分布。 通過(guò)真空熔融法制造的靶材可以確保塊內沒(méi)有孔，但是通過(guò)粉末冶金法制造的高純鉻靶很可能包含一定數量的孔。 孔的存在會(huì )在濺射過(guò)程中引起異常放電，從而產(chǎn)生雜質(zhì)顆粒。 此外，由于其密度低，在操作，運輸，安裝和操作過(guò)程中，帶有孔的目標很容易破碎。

目標處理流程：集成電路制造用濺射靶的加工工藝主要包括熔煉，均質(zhì)化，壓力加工，機械加工等工藝。 在嚴格控制靶材純度的基礎上，鉻靶、鈮靶、鈦鋁靶通過(guò)優(yōu)化壓力處理工藝，熱處理條件和機械加工條件，調整靶材的晶粒取向和晶粒尺寸，滿(mǎn)足濺射工藝要求。


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