GaN在1050℃開(kāi)始分解：2GaN(s)=2Ga(g)+N2(g)。X射線(xiàn)衍射已經(jīng)指出GaN晶體屬纖維鋅礦晶格類(lèi)型的六方晶系。
在氮氣或氦氣中當溫度為1000℃時(shí)GaN會(huì )慢慢揮發(fā)，GaN在較高的溫度下是穩定的，在1130℃時(shí)它的蒸氣壓比從焓和熵計算得到的數值低，這是由于有多聚體分子(GaN)x的存在。
GaN不被冷水或熱水，稀的或濃的鹽酸、硝酸和硫酸，或是冷的40%HF所分解。在冷的濃堿中也是穩定的，但在加熱的情況下能溶于堿中

TiN有著(zhù)誘人的金、熔點(diǎn)高、硬度大、化學(xué)穩定性好、與金屬的潤濕小的結構材料、并具有較高的導電性和超導性，可應用于高溫結構材料和超導材料

因為GaN是寬禁帶半導體，極性太大，則較難以通過(guò)高摻雜來(lái)獲得較好的金屬-半導體的歐姆接觸，這是GaN器件制造中的一個(gè)難題，故GaN器件性能的好壞往往與歐姆接觸的制作結果有關(guān)?，F在比較好的一種解決辦法就是采用異質(zhì)結，首先讓禁帶寬度逐漸過(guò)渡到較小一些，然后再采用高摻雜來(lái)實(shí)現歐姆接觸，但這種工藝較復雜?？傊?，歐姆接觸是GaN器件制造中需要很好解決的一個(gè)主要問(wèn)題。

在探測器方面，已研制出GaN紫外探測器，波長(cháng)為369nm，其響應速度與Si探測器不相上下。但這方面的研究還處于起步階段。GaN探測器將在火焰探測、預警等方面有重要應用。
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